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IRF7523D1
Power Mosfet Characteristics
400
V GS
C iss
C rss
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 1.7A
V D S = 24V
V D S = 15V
300
C is s
C os s
12
200
8
100
C rs s
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 9
A
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1000
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
D = 0.50
0.20
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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